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JANSR2N7648U3CE

数据手册
封装

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JANSR2N7648U3CE
JANSR2N7648U3CE
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7648U3C
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.034 Ω
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7661U3CE是一款抗辐射的 N 沟道 MOSFET，耐压 100 V，额定电流 35 A，采用带陶瓷盖的单个 SMD-0.5e 增强型封装，电性能高达 100 krad（Si）TID。IR HiRel R9 技术为空间应用提供卓越的功率 MOSFET。

特性

  • 抗单粒子效应加固
  • 低 RDS(on) )
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 驱动要求简单
  • 气密密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表贴安装
  • 静电防护等级：2 级（MIL-STD-750，1020）

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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