JANSR2N7650U8C
不建议用于新设计

JANSR2N7650U8C

该器件当前仍在供货，但不推荐用于新设计项目。目前已有兼容的新封装可供选择（请参见推荐产品）。
数据手册
封装

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JANSR2N7650U8C
JANSR2N7650U8C
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    20 A
  • 最高 ID (@25°C)
    25 A
  • QG
    31 nC
  • QPL部件号
    2N7650U8C
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    30 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2C
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7650U8C 是一款抗辐射 60V、25A、单 R9 N 沟道 MOSFET，对 SEE 和 LET 的抗干扰能力增强，高达 90 MeV·cm2/mg。其低 RDS(on) 和快速开关使其成为需要卓越功率 MOSFET 的空间应用（如 DC-DC 转换器和电机驱动器）的理想选择。电气性能高达100krad(Si) TID。JANSR2N7650U8C 符合 QPL 资格。

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