JANSR2N7661U3CE
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JANSR2N7661U3CE

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JANSR2N7661U3CE
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    -15 A
  • QG
    49 nC
  • QPL部件号
    2N7661U3CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.175 Ω
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7661U3CE P-channel MOSFET 具有抗辐射能力，耐压 -200V，耐电流 -15A，采用单层 SMD-0.5e 增强封装，带有陶瓷盖，电性能高达 100 krad（Si）TID。IR HiRel R9 技术在高可靠性空间应用中拥有久经考验的飞行经验。该器件的低 RDS(on) 和低感应电感，是开关应用的理想选择。

特性

  • SEE 加固
  • 低 RDS(on)
  • 坚固的 SOA
  • 雪崩耐受能量提升
  • 驱动要求简单
  • 气密密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表面安装
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