JANSR2N7661U3CE
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JANSR2N7661U3CE

数据手册
封装

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JANSR2N7661U3CE
JANSR2N7661U3CE
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    -15 A
  • QG
    49 nC
  • QPL部件号
    2N7661U3CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.175 Ω
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSR2N7661U3CE P-channel MOSFET 具有抗辐射能力，耐压 -200V，耐电流 -15A，采用单层 SMD-0.5e 增强封装，带有陶瓷盖，电性能高达 100 krad（Si）TID。IR HiRel R9 技术在高可靠性空间应用中拥有久经考验的飞行经验。该器件的低 RDS(on) 和低感应电感，是开关应用的理想选择。

特性

  • SEE 加固
  • 低 RDS(on)
  • 坚固的 SOA
  • 雪崩耐受能量提升
  • 驱动要求简单
  • 气密密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表面安装
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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