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JANSR2N7666T1

从 -30 V 到 -200 V，符合 DLA 太空应用标准
数据手册
封装

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JANSR2N7666T1
JANSR2N7666T1
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@25°C) max
    -45 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7666T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF max
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    Low-Ohmic TO-254AA
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射，-200V，-45A，P沟道MOSFET，R9采用低欧姆TO-254AA封装 - 100krad(Si) TID，QPL

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 硬化
  • 低 RDS(on)
  • 改进的 SOA，用于线性模式操作
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动要求
  • 密封
  • 电气隔离
  • 陶瓷孔眼
  • 重量轻
  • 表面贴装
  • ESD 等级：1B 级（符合 MIL-STD-750，方法 1020）

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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