JANSR2N7666T1
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JANSR2N7666T1

从 -30 V 到 -200 V，符合 DLA 太空应用标准
数据手册
封装

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JANSR2N7666T1
JANSR2N7666T1
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@25°C)
    -45 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7666T1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    34 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    Low-Ohmic TO-254AA
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射，-200V，-45A，P沟道MOSFET，R9采用低欧姆TO-254AA封装 - 100krad(Si) TID，QPL

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 硬化
  • 低 RDS(on)
  • 改进的 SOA，用于线性模式操作
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动要求
  • 密封
  • 电气隔离
  • 陶瓷孔眼
  • 重量轻
  • 表面贴装
  • ESD 等级：1B 级（符合 MIL-STD-750，方法 1020）

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区