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JANTXVR2N7473U2

数据手册
封装

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JANTXVR2N7473U2
JANTXVR2N7473U2
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    34 A
  • ID (@25°C) max
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL部件号
    2N7473U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    38 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
SupIR-SMD 封装中的抗辐射 N 沟道 MOSFET JANTXVR2N7473U2 可提供高达 200V、53A 和 100krad(Si) TID 电气性能。IR HiRel R5 技术在空间电源应用中提供了经过验证的高性能。该 MOSFET 符合 QPL 资格，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低卫星总线和有效载荷切换应用（如 DC-DC 转换器和电机控制）中的功率损耗。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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