现货，推荐
符合RoHS标准

RIC7S113C4CDV

数据手册
评估板

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

RIC7S113C4CDV
RIC7S113C4CDV
数据手册

商品详情

  • SEE
    81.9 MeV∙cm2/mg
  • tf
    17 ns
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • toff
    100 ns
  • ton
    120 ns
  • tr
    25 ns
  • VS max
    400 V
  • 产品类别
    HiRel Power ICs
  • 供电电压
    10 V to 20 V
  • 偏置电源电压
    5 V to 20 V
  • 封装
    Die in waffle pack
  • 电压等级
    100 V
  • 语言
    SPICE
  • 超频
    Delay Matching 20 (ns)
  • 输出电压 max
    20 V
  • 通道数
    2
  • 配置
    High-side and low-side
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
RIC7S113C4CDV 是抗辐射高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器 RIC7S113 的芯片。额定 TID 高达 100 Krad(Si)，温度范围为 -55°C 至 125°C。仅可进行目视检查。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }