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符合RoHS标准
无铅

S25FL128LAGBHB023

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S25FL128LAGBHB023
S25FL128LAGBHB023
数据手册

商品详情

  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2032
  • 系列
    FL-L
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S25FL128LAGBHB023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL128LAGBHB023是一款128 Mb（16 MB）串行NOR闪存，采用65纳米浮栅技术，支持SPI多I/O（单、双、四通道及DDR）。工作电压2.7 V至3.6 V，适用于工业和汽车温度范围（最高125°C，AEC-Q100等级1）。读速最高66 MBps（四通道DDR），页编程速率854 KBps。安全特性包括四个256字节可锁定区域、先进块保护和深度掉电模式。典型应用涵盖代码影像、XIP和汽车、工业、嵌入式系统中的安全数据存储。器件支持10万次擦写和20年数据保持，适用于高可靠、高性能存储方案。

特性

  • SPI支持单/双/四I/O
  • 支持DDR双倍数据率读取
  • 256字节页编程缓存
  • 统一4 KB扇区擦除
  • 最小10万次擦写寿命
  • 最小20年数据保存
  • 安全区及OTP锁定位
  • 深度掉电模式
  • 2.7 V至3.6 V单电源
  • –40°C至+125°C工作温度
  • 支持SFDP参数配置
  • 支持编程/擦除挂起与恢复

产品优势

  • 灵活适配多种主控
  • DDR提升数据吞吐
  • 大缓存加快编程速度
  • 扇区/块/芯片灵活擦除
  • 频繁更新数据更可靠
  • 长期数据安全存储
  • 防止敏感数据被篡改
  • 防止误写误擦
  • 兼容3 V系统
  • 适应恶劣环境
  • 配置兼容性强
  • 关键操作不中断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }