S25FL128SAGNFV001
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL128SAGNFV001

数据手册
封装
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S25FL128SAGNFV001
S25FL128SAGNFV001
数据手册
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    52 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL128SAGNFV001
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-18827)
封装尺寸 2050
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-18827)
封装尺寸 2050
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL128SAGNFV001是一款128 Mb SPI NOR闪存，采用65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构。支持单、双、四路SPI I/O及DDR读模式，最大读取速率52 MBps（四路）和80 MBps（四路DDR）。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，满足AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125°C）。混合扇区架构、10万次擦写及高级保护，适用于汽车和工业代码存储。

特性

  • CMOS 3.0 V内核，灵活I/O
  • SPI多I/O接口
  • 支持DDR和SDR时钟
  • 24/32位扩展寻址
  • 多种读取模式：普通、快速、双、四、DDR
  • 页编程速率高达1.5 MBps
  • 自动ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保存
  • 1024字节OTP安全区
  • 高级扇区和块保护

产品优势

  • 灵活I/O简化系统集成
  • 高速SPI提升数据吞吐
  • DDR/SDR设计灵活
  • 扩展寻址支持大容量
  • 多读取模式优化性能
  • 快速编程加速生产
  • ECC提升数据可靠性
  • 扇区选项便于兼容
  • 高耐久降低维护成本
  • 长期保存确保数据安全
  • OTP区实现安全ID
  • 保护机制增强安全性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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