现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL128SDSMFBG10

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封装
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S25FL128SDSMFBG10
S25FL128SDSMFBG10
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S25FL128SDSMFBG10
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1200
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1200
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL128SDSMFBG10是一款128 Mb SPI多I/O NOR闪存，采用Infineon MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，支持最高52 MBps（Quad，104 MHz）和DDR模式80 MBps。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，支持AEC-Q100汽车级，具备100,000次擦写周期、20年数据保持、先进扇区保护和ECC。适用于嵌入式代码影像、XIP及数据存储。

特性

  • MIRRORBIT™技术单元存储2位数据
  • Eclipse架构加快编程/擦除
  • SPI多I/O：x1、x2、x4数据宽度
  • 支持DDR读命令提升带宽
  • 256B/512B页编程缓存
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 最少10万次擦写寿命
  • 最少20年数据保持
  • 1024字节一次性可编程区
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 核心电压2.7-3.6 V，I/O 1.65-3.6 V
  • 工作温度–40°C至+125°C

产品优势

  • 高密度低成本存储方案
  • 快速读写提升系统性能
  • 灵活接口适配多主控
  • DDR/QIO实现高速访问
  • 大缓存提升编程效率
  • 多种擦除便于迁移
  • 可靠频繁更新与代码存储
  • 长期数据安全可靠
  • OTP保障设备身份与配置
  • 扇区保护防止误操作
  • 宽电压支持多系统
  • 宽温适用恶劣环境

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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