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符合RoHS标准
无铅

S25FL256LAGNFI010

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每件.
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S25FL256LAGNFI010
S25FL256LAGNFI010
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2032
  • 系列
    FL-L
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL256LAGNFI010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-18827)
包装尺寸 676
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-18827)
包装尺寸 676
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S25FL256LAGNFI010是一款256 Mb（32 MB）SPI NOR闪存，采用65纳米浮栅技术，支持单/双/四I/O、QPI及DDR读模式，最高133 MHz。工作电压2.7 V至3.6 V，工业级温度-40°C至+85°C，汽车级可达+125°C，具备10万次擦写和20年数据保持。集成安全区和灵活擦除，适用于汽车、工业和嵌入式代码存储及数据记录。

特性

  • SPI支持单/双/四I/O
  • 支持DDR双倍数据率读取
  • 256字节页编程缓存
  • 统一4 KB扇区擦除
  • 最小10万次擦写寿命
  • 最小20年数据保存
  • 安全区及OTP锁定位
  • 深度掉电模式
  • 2.7 V至3.6 V单电源
  • –40°C至+125°C工作温度
  • 支持SFDP参数配置
  • 支持编程/擦除挂起与恢复

产品优势

  • 灵活适配多种主控
  • DDR提升数据吞吐
  • 大缓存加快编程速度
  • 扇区/块/芯片灵活擦除
  • 频繁更新数据更可靠
  • 长期数据安全存储
  • 防止敏感数据被篡改
  • 防止误写误擦
  • 兼容3 V系统
  • 适应恶劣环境
  • 配置兼容性强
  • 关键操作不中断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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