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符合RoHS标准
无铅

S25FL256LDPMFB003

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S25FL256LDPMFB003
S25FL256LDPMFB003
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2032
  • 系列
    FL-L
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S25FL256LDPMFB003
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL256LDPMFB003是一款256 Mb（32 MB）FL-L系列闪存，采用65纳米浮栅技术，支持SPI多I/O接口（单、双、四、QPI模式）。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围-40°C至+125°C，DDR四通道读速最高66 MBps。高级安全区域、单独块保护、10万次擦写周期。紧凑封装适用于嵌入式、汽车和工业高性能应用。

特性

  • SPI多I/O接口支持
  • 65nm浮栅技术
  • 256字节页编程缓存
  • 4 KB/32 KB/64KB统一擦除选项
  • 支持编程/擦除挂起与恢复
  • 最小10万次编程/擦除周期
  • 最低20年数据保存
  • 安全区带OTP锁定位
  • 深度掉电模式
  • 2.7V至3.6V电源电压
  • -40°C至+125°C工作温度
  • DDR四路I/O

产品优势

  • 灵活接口实现高速访问
  • 高可靠性保障长期使用
  • 页缓存加速编程
  • 多种擦除灵活管理存储
  • 挂起/恢复支持多任务
  • 高耐久适用严苛应用
  • 长期数据安全存储
  • 安全区防止篡改
  • 深度掉电省电保护数据
  • 宽电压适应多设计
  • 适用恶劣环境
  • DDR四路I/O提升读取速度

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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