现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL512SDPMFI013

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25FL512SDPMFI013
S25FL512SDPMFI013
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL512SDPMFI013
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL512SDPMFI013是一款基于Infineon MIRRORBIT™技术和Eclipse™架构的512 Mb（64 MB）SPI多I/O NOR闪存，具备高速编程和擦除性能。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，支持SDR和DDR模式，最高速率80 MBps。具备高级扇区保护、10万次擦写寿命和20年数据保持，适用于汽车、工业和嵌入式应用。

特性

  • CMOS 3.0 V内核与多功能I/O
  • SPI多I/O及DDR选项
  • 32位扩展寻址
  • 正常/快速/双/四/DDR读取
  • 512字节页编程缓冲区
  • 自动ECC单比特纠错
  • 均匀256KB扇区
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保持
  • 1024字节OTP安全区
  • 扇区保护与高级保护
  • VCC:2.7-3.6 V,VIO:1.65V至VCC+0.2 V

产品优势

  • 灵活3.0 V简化设计
  • 高速SPI快速访问数据
  • 大寻址空间支持大型系统
  • 多读取模式优化性能
  • 快速编程提升效率
  • ECC保障数据可靠
  • 均匀扇区简化擦除
  • 高耐久降低维护成本
  • 长期保存数据安全
  • OTP增强系统安全
  • 保护机制防止数据丢失
  • 宽电压适配多平台

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }