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符合RoHS标准
无铅

S25FS128SAGNFI101

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每件.
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S25FS128SAGNFI101
S25FS128SAGNFI101
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FS128SAGNFI101
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-18755)
包装尺寸 1485
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-18755)
包装尺寸 1485
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S25FS128SAGNFI101是一款128 Mbit（16 MB）SPI多I/O NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，支持最高80 MBps（DDR Quad I/O，80 MHz）读取，工作电压1.7 V至2.0 V，符合汽车AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125°C）认证。具备混合和均匀扇区选项，最少10万次擦写周期，20年数据保持和1024字节OTP阵列。适用于代码影射、XIP和嵌入式系统。

特性

  • 支持多I/O的SPI接口
  • DDR和QPI读取模式
  • 256或512字节编程缓存
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合与均匀扇区擦除
  • 最小10万次擦写寿命
  • 最小20年数据保存
  • 1.7至2.0V供电电压
  • 最高+125°C工作温度
  • 支持SFDP参数发现
  • 高级扇区和块保护
  • 65 nm MIRRORBIT™技术

产品优势

  • 灵活接口适配多种主机
  • DDR/QPI实现高速访问
  • 大小页编程高效灵活
  • 内置ECC保障数据可靠
  • 擦除方式适应多场景
  • 高耐久适合频繁更新
  • 长期数据存储有保障
  • 低电压设计节能高效
  • 高温环境下稳定运行
  • 配置兼容性强易集成
  • 数据安全性更高
  • 先进工艺高密度低成本

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }