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符合RoHS标准
无铅

S25FS256SAGMFB003

数据手册
封装
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S25FS256SAGMFB003
S25FS256SAGMFB003
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S25FS256SAGMFB003
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FS256SAGMFB003是一款256 Mbit（32 MB）汽车级、AEC-Q100认证的串行NOR Flash存储器，采用1.8 V电源和高速SPI多I/O接口，支持单、双、四I/O，最高133 MHz SDR和80 MBps DDR Quad读取。基于65 nm MIRRORBIT™技术与Eclipse架构，具备10万次擦写、20年数据保持、灵活扇区选项及高级扇区保护。适用于汽车和工业系统中的代码存储和XIP。

特性

  • 支持多I/O的SPI接口
  • DDR和QPI读取模式
  • 256或512字节编程缓存
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合与均匀扇区擦除
  • 最小10万次擦写寿命
  • 最小20年数据保存
  • 1.7至2.0V供电电压
  • 最高+125°C工作温度
  • 支持SFDP参数发现
  • 高级扇区和块保护
  • 65 nm MIRRORBIT™技术

产品优势

  • 灵活接口适配多种主机
  • DDR/QPI实现高速访问
  • 大小页编程高效灵活
  • 内置ECC保障数据可靠
  • 擦除方式适应多场景
  • 高耐久适合频繁更新
  • 长期数据存储有保障
  • 低电压设计节能高效
  • 高温环境下稳定运行
  • 配置兼容性强易集成
  • 数据安全性更高
  • 先进工艺高密度低成本

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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