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符合RoHS标准
无铅

S25FS256SDSBHI203

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S25FS256SDSBHI203
S25FS256SDSBHI203

商品详情

  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Industrial
OPN
S25FS256SDSBHI203
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FS256SDSBHI203是一款256 Mbit(32 MB)SPI NOR闪存,采用65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse架构,实现快速编程和擦除。支持单、双、四路SPI I/O,最高133 MHz SDR和80 MHz DDR,读取速率高达80 MBps。工作电压1.7 V至2.0 V,满足AEC-Q100 Grade 1(最高125°C)汽车级要求。具备1024字节OTP和高级扇区保护,适用于汽车和嵌入式系统中的代码存储、XIP和数据记录。

特性

  • 串行外设接口(SPI)
  • 支持双倍数据速率(DDR)
  • 24或32位地址选项
  • 多I/O命令支持
  • 正常、快速、双、四、DDR四I/O读取
  • Burst Wrap、连续(XIP)、QPI模式
  • 256或512字节页编程缓冲区
  • 自动ECC,单比特纠错
  • 混合与统一扇区擦除选项
  • 最少10万次擦写周期
  • 最长20年数据保存
  • 1.7 V至2.0 V电源电压

产品优势

  • 灵活SPI兼容多主控
  • DDR与四I/O实现高速传输
  • 32位寻址支持大容量设计
  • 多I/O提升读写效率
  • 多种读取模式适应不同应用
  • XIP/QPI支持在位执行
  • 大页缓冲区加快编程
  • ECC提升数据可靠性
  • 灵活擦除便于分区
  • 高耐久延长寿命
  • 长期保存保障数据安全
  • 低电压降低功耗

应用

文档

设计资源

开发者社区

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