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符合RoHS标准
无铅

S25FS512SFABHB210

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S25FS512SFABHB210
S25FS512SFABHB210
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    102 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 102
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S25FS512SFABHB210
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FS512SFABHB210是一款512 Mbit（64 MB）车规级串行NOR Flash，采用65 nm MIRRORBIT™技术，支持1.8 V SPI多I/O接口。最高支持102 MHz DDR高速读写，24球BGA（6 × 8 mm，1.00 mm间距）封装，符合AEC-Q100 Grade 2（-40°C至+105°C）标准。深度掉电待机电流低至8 μA，最大读取电流100 mA，适用于汽车及嵌入式高密度存储应用。

特性

  • SPI多I/O接口
  • 1.8 V核心电压
  • DDR读取时钟高达102 MHz
  • 支持单/双/四/QPI模式
  • 可变读取延迟周期
  • 102 MHz时最大工作电流100 mA
  • 最大待机电流450 μA
  • 最大深度掉电电流350 μA

产品优势

  • 灵活接口便于系统集成
  • 低电压降低功耗
  • 102 MHz DDR实现高速数据
  • 多I/O模式提升设计灵活性
  • 可调延迟优化性能
  • 100 mA最大电流降低发热
  • 450 μA待机延长电池寿命
  • 350 μA深度掉电节能

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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