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符合RoHS标准
无铅

S25HS01GTDPMHI010

数据手册
封装
每件.
有存货

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S25HS01GTDPMHI010
S25HS01GTDPMHI010
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商品详情

  • Density
    1 GBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 85 °C
  • Operating Voltage
    1.8 V
  • Lead Ball Finish
    Matte Tin Plating
  • Interface Bandwidth
    66 MByte/s
  • Interfaces
    Quad SPI
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • Family
    HS-T
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
S25HS01GTDPMHI010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 240
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 240
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S25HS01GTDPMHI010 是英飞凌的一款高密度 SEMPER ™ NOR 闪存设备。该设备密度为 1 Gbit，工作电压为 1.8 V，SDR/DDR 接口频率为 133/66 MHz，性能强大。它采用先进的英飞凌 45 纳米 MIRRORBIT ™技术设计，允许每个内存阵列单元存储两个数据位。其四路 SPI 接口可实现 66 MByte/s 的带宽。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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