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符合RoHS标准
无铅

S26HS01GTFPBHV030

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S26HS01GTFPBHV030
S26HS01GTFPBHV030

商品详情

  • Density
    1 GBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 105 °C
  • Operating Voltage
    1.8 V
  • Lead Ball Finish
    Sn/Ag/Cu
  • Interface Bandwidth
    333 MByte/s
  • Interfaces
    HYPERBUS
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Family
    HS-T
  • Qualification
    Industrial
OPN
S26HS01GTFPBHV030
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S26HS01GTFPBHV030 属于 SEMPER ™ NOR 闪存系列的一部分,采用先进的英飞凌® 45 纳米 MIRRORBIT ™技术。它具有 1 Gbit 的密度和 HYPERBUS ™接口,可提供 333 MByte/s 的卓越接口带宽。其工作电压为1.8V,支持166MHz的DDR频率。这款卓越的产品属于 HS-T 系列,采用 PG-BGA-24 英飞凌封装。

特性

  • xSPI (HYPERBUS ™ )
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性超过 10 年
  • 数据保留时间长达 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

设计资源

开发者社区

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