现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S26HS01GTGABHI030

数据手册
封装
每件.
有存货

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S26HS01GTGABHI030
S26HS01GTGABHI030
每件.
数据手册

商品详情

  • Density
    1 GBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 85 °C
  • Operating Voltage
    1.8 V
  • Lead Ball Finish
    Sn/Ag/Cu
  • Interface Bandwidth
    400 MByte/s
  • Interfaces
    HYPERBUS
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • Family
    HS-T
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
S26HS01GTGABHI030
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S26HS01GTGABHI030 是我们 SEMPER ™ NOR 闪存系列的一部分，密度为 1 Gbits。这款功能强大的内存芯片采用英飞凌的 45 纳米 MIRRORBIT ™技术设计，支持带宽为 400 MBytes/s 的 HYPERBUS 接口。该芯片工作电压为 1.8V，还提供 200 MHz 的接口频率 (DDR)，并采用我们的 PG-BGA-24 Infineon 封装。

特性

  • xSPI (HYPERBUS ™ )
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性超过 10 年
  • 数据保留时间长达 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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