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符合RoHS标准
无铅

S26KL512SDABHN030

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S26KL512SDABHN030
S26KL512SDABHN030
每件.
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    96 ns
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 总线宽度
    x8
  • 技术
    HYPERFLASH
  • 接口带宽
    200 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    KL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S26KL512SDABHN030
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 676
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 676
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S26KL512SDABHN030是一款512 Mb（64 MB）HYPERFLASH™ NOR闪存，采用HYPERBUS™ DDR接口，1.8 V下速率高达333 MBps，3.0 V下为200 MBps。支持1.8 V/3.0 V工作，166 MHz主频，具备ECC和CRC数据保护及高级扇区保护。10万次擦写、20年数据保持，通过AEC-Q100认证，适用于高可靠性和快速访问的汽车及工业应用。

特性

  • 8位数据总线
  • HYPERBUS™接口
  • 最高333 MBps持续读吞吐量
  • DDR：每时钟两次数据传输
  • 1.8 V下166 MHz时钟
  • 3.0 V下100 MHz时钟
  • 96 ns初始随机读访问
  • 可配置突发长度：16/32/64字节
  • 低功耗模式：待机25 µA，深度掉电8 µA
  • ECC：1位纠错，2位检测
  • 硬件CRC计算
  • 安全硅区（1024字节OTP）

产品优势

  • 快速数据访问提升系统性能
  • 灵活接口适应多样设计
  • 高速DDR提升吞吐量
  • 多种突发长度优化传输
  • 低功耗延长电池寿命
  • ECC保障数据完整性
  • CRC检测传输错误
  • 安全区实现设备认证
  • 快速随机访问降低延迟
  • 8位总线便于集成
  • 可调驱动适应信号需求
  • 恶劣环境下可靠运行

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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