现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S27KL0642DPBHI030

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S27KL0642DPBHI030
S27KL0642DPBHI030
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    36 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KL-2
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S27KL0642DPBHI030
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S27KL0642DPBHI030是一款64 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM（PSRAM），采用HYPERBUS™ DDR接口，含CS#、RWDS与8位DQ总线，用于主机内存扩展。支持1.8 V或3.0 V供电（VCC 1.7–2.0 V或2.7–3.6 V），最高200 MHz时钟，吞吐量达400 MBps，最大访问时间35 ns。Hybrid Sleep与深度掉电可将电流降至12–15 µA，24球FBGA封装。

特性

  • HYPERBUS™接口
  • 支持1.8 V或3.0 V
  • 支持单端或差分时钟
  • 8位DDR数据总线DQ[7:0]
  • RWDS读写选通与写掩码
  • 可选DCARS读选通
  • 最高时钟200 MHz
  • 吞吐量高达400 MBps
  • 最大访问时间tACC 35 ns
  • 混合休眠保留数据
  • 深度掉电停止刷新
  • ESD: HBM 2 kV, CDM 500 V

产品优势

  • 通过x8实现高速MCU扩展
  • 兼容1.8 V/3.0 V电源轨
  • 时钟选项降低布线难度
  • DDR x8降低走线复杂度
  • RWDS提升DDR时序裕量
  • DCARS增大读数据眼裕量
  • 200 MHz支持高带宽传输
  • 400 MBps支持高速帧缓存
  • tACC 35 ns降低访问延迟
  • 混合休眠省电且保留数据
  • 深度掉电在无需数据时省电
  • 高ESD提升装配可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }