现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S27KS0642GABHM023

数据手册
封装

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S27KS0642GABHM023
S27KS0642GABHM023
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-2
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S27KS0642GABHM023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S27KS0642GABHM023为64 Mb HyperRAM自刷新DRAM，通过HyperBus接口与8位DDR数据总线实现外部存储扩展。支持200 MHz时钟、最高400 MBps吞吐量，线性或包裹突发（16/32/64/128 B），并支持可选DCARS。满足AEC-Q100 Grade 1（-40至125°C）。仅1.8 V VCC/VCCQ（1.7至2.0 V），24球FBGA（6 x 8 x 1.0 mm），卷带封装。

特性

  • HyperBus接口
  • 8位DDR数据总线DQ[7:0]
  • 最高200 MHz时钟
  • 吞吐量最高400 MBps
  • tACC最大35 ns
  • RWDS读选通/写屏蔽
  • 可选差分时钟CK/CK#
  • 可选DCARS相位偏移
  • 线性或wrapped突发
  • Active Clock Stop状态
  • Hybrid Sleep保留数据
  • Deep Power Down停止刷新

产品优势

  • 比并行DRAM更少引脚
  • 高带宽加速数据加载
  • 35 ns降低读延迟
  • RWDS提升DDR时序裕量
  • 差分时钟提升信号完整性
  • DCARS提升读数据眼裕量
  • 突发模式匹配系统访问
  • 停时钟降低停顿功耗
  • HS省电且保留数据
  • DPD未使用时最低功耗
  • 兼容1.8 V或3.0 V电源
  • 2 kV HBM提升耐用性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }