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符合RoHS标准
无铅

S27KS0643GABHV020

数据手册
封装
每件.
有存货

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S27KS0643GABHV020
S27KS0643GABHV020
每件.
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商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    xSPI (Octal)
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-3
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S27KS0643GABHV020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S27KS0643GABHV020是一款64 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM（PSRAM），用于xSPI（八线）存储扩展。8位DQ总线配合RWDS并采用DDR传输，最高200 MHz时钟，吞吐量400 MBps（3,200 Mbps），tACC为35 ns。供电1.7 V至2.0 V或2.7 V至3.6 V，温度等级-40°C至105°C。支持Hybrid Sleep与深度掉电（2.0 V、105°C为12 µA），24球FBGA封装。

特性

  • 八线xSPI带CS#与RWDS
  • 8位DQ数据总线
  • 1.8 V与3.0 V接口
  • 最高200 MHz时钟
  • DDR双沿传输
  • 吞吐率高达400 MBps
  • 突发：线性与包裹
  • 包裹突发16/32/64/128B
  • 混合突发：包裹后线性
  • 可配输出驱动强度
  • Hybrid Sleep数据保留
  • 深度掉电停止刷新

产品优势

  • 八线xSPI降低布线复杂度
  • RWDS简化DDR时序设计
  • 双电压IO适配更多MCU
  • 200 MHz实现快速存取
  • DDR每时钟带宽翻倍
  • 400 MBps支持高速缓存
  • 突发模式优化效率
  • 包裹突发降低总线开销
  • 混合突发适配混合访问
  • 驱动可配改善信号完整性
  • Hybrid Sleep省电且保数据
  • DPD降低空闲电流

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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