现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S28HS01GTFPBHI030

数据手册
封装

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S28HS01GTFPBHI030
S28HS01GTFPBHI030
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    Octal
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S28HS01GTFPBHI030
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 2600
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 2600
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
使用英飞凌的 SEMPER ™ NOR 闪存 S28HS01GTFPBHI030 将您的设备提升到新的水平。这款 1 Gbit 密度内存采用我们顶级的 45 nm MIRRORBIT ™技术设计，能够在每个内存阵列单元中存储两个数据位。它采用八进制接口，在 1.8 V 的稳定工作电压下提供 333 MByte/s 的惊人接口带宽。它还具有 HS-T 系列下 166 MHz 的接口频率。或者采用 PG-BGA-24 封装，可确保最佳性能。

特性

  • xSPI（八进制）
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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