请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
视图替换
停产
已停产
符合RoHS标准

S29AL008J70BFI020

停产
数据手册
封装
软件
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29AL008J70BFI020
S29AL008J70BFI020
视图替换
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    70 ns
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 系列
    AL-J
  • 认证标准
    Industrial
OPN
S29AL008J70BFI020
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (002-19063)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (002-19063)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S29AL008J70BFI020是一款8 Mbit引导区Flash存储器，工作电压为2.7 V至3.6 V，访问速度70 ns，底部引导区配置，采用无铅48球细间距BGA封装，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。主要特性包括扇区组保护、JEDEC命令兼容和超低功耗模式。应用于嵌入式系统和工业控制器等需要可靠非易失性存储的场合。

特性

  • 单2.7–3.6 V读写电源
  • 8 Mbit容量，x8/x16结构
  • 访问速度快至55 ns
  • 110 nm工艺技术
  • 安全硅区存储ID
  • 灵活扇区架构
  • 扇区组保护/解锁
  • 解锁旁路加快编程
  • 超低功耗：0.2 µA待机/休眠
  • 每扇区100万次擦写
  • 数据保存20年
  • 兼容JEDEC命令集

产品优势

  • 简化电源设计
  • 支持高速系统运行
  • 设备认证更安全
  • 灵活管理代码/数据
  • 防止数据意外丢失
  • 编程更快节省时间
  • 待机功耗极低
  • 频繁更新也可靠
  • 数据长期保存
  • 易于系统集成
  • 兼容标准编程器
  • 降低系统出错风险

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }