请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
视图替换
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

S29CD016J0PQFM110

停产
数据手册
封装
软件
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29CD016J0PQFM110
S29CD016J0PQFM110
视图替换
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    54 ns
  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.5 V 至 2.75 V
  • 工作电压
    2.5 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口
    Parallel Burst
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    66 / -
  • 系列
    CD-J
  • 认证标准
    Automotive
OPN
S29CD016J0PQFM110
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-MQFP-80
封装名 PQFP-80 (002-25073)
包装尺寸 660
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-MQFP-80
封装名 PQFP-80 (002-25073)
包装尺寸 660
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S29CD016J0PQFM110是一款16 Mbit、2.6 V突发模式闪存，适用于汽车和工业嵌入式系统。支持双银行零延迟同步读写，最高66 MHz，x32数据总线。具备高级扇区保护、双启动配置和256字节Secured Silicon区域，保障数据安全。器件工作电压为2.5 V至2.75 V，VIO为1.65 V至2.75 V，温度范围-40°C至125°C。典型编程和擦除时间分别为18 µs和1.0 s，数据保持20年。

特性

  • 零延迟同步读写操作
  • 32位数据总线架构
  • 可编程突发接口（2/4/8双字）
  • Versatile I/O控制（1.65V至3.6 V）
  • 高级扇区保护：持久、动态、密码
  • 硬件写保护引脚（WP#）
  • 低功耗待机模式（60 µA）
  • 自动休眠模式节能
  • 数据轮询与Ready/Busy#状态输出
  • 典型20年数据保持
  • 典型每扇区100万次擦写
  • 兼容JEDEC（JC42.4）命令集

产品优势

  • 实现快速代码执行与更新
  • 满足数据密集型应用高带宽
  • 灵活突发访问优化性能
  • 适配多种系统电压需求
  • 多重保护模式提升数据安全
  • 防止误擦写操作
  • 待机时极低功耗
  • 空闲时降低能耗
  • 便捷状态监控确保可靠
  • 长期数据可靠性保障
  • 高耐久适合频繁重编程
  • 易于与标准控制器集成

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }