现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S29GL01GT11TFV030

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL01GT11TFV030
S29GL01GT11TFV030
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    110 ns
  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-T
  • 认证标准
    Industrial
  • 页面访问时间
    15 ns
推荐的
OPN
S29GL01GT11TFV030
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-56
封装名 TSOP-56 (002-15549)
包装尺寸 910
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-56
封装名 TSOP-56 (002-15549)
包装尺寸 910
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S29GL01GT11TFV030是一款1 Gb（128 MB）GL-T MIRRORBIT™并行NOR闪存，适用于嵌入式代码和数据存储。工作电压2.7 V至3.6 V，支持1.65 V至VCC多样I/O，×8/×16数据总线，随机访问100 ns，页访问15 ns。具备512字节编程缓冲区、单比特硬件ECC、先进扇区保护，并通过AEC-Q100 Grade 2汽车与工业级认证。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™技术
  • 单电源读/写/擦除（2.7–3.6 V）
  • 灵活I/O电压（1.65 V至VCC）
  • ×8/×16数据总线
  • 512字节编程缓冲区
  • 硬件ECC单比特纠错
  • 均匀128KB扇区
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 每扇区10万次擦写
  • 典型20年数据保持
  • 上电/低VCC写入禁止
  • 状态寄存器/数据轮询/就绪忙引脚

产品优势

  • 高密度适合嵌入式应用
  • 灵活I/O兼容多主机系统
  • 512字节缓冲区加速编程
  • 内置ECC保障数据可靠
  • 均匀扇区简化管理
  • ASP增强数据安全
  • 10万次擦写寿命长
  • 数据可保存20年
  • 防止上电误写
  • 状态监控方便诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }