S29GL01GT12DHVV13
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S29GL01GT12DHVV13

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封装
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S29GL01GT12DHVV13
S29GL01GT12DHVV13
数据手册


商品详情

  • 初始访问时间
    120 ns
  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-T
  • 质量等级
    Industrial
  • 页面访问时间
    15 ns

推荐的
OPN
S29GL01GT12DHVV13
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15537)
封装尺寸 2200
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2035
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
CN

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15537)
封装尺寸 2200
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2035
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
CN
S29GL01GT12DHVV13是一款1 Gb（128 MB）并行MIRRORBIT™闪存，适用于高密度和快速访问的嵌入式系统。单电源2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至VCC，支持×8/×16数据总线。主要特性包括15 ns页面访问、100 ns随机访问、512字节编程缓冲区、内部ECC单比特纠错、128 KB统一扇区擦除和10万次擦写。适用于工业和汽车（–40°C至+125°C）环境，确保可靠性。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™技术
  • 单电源读/写/擦除（2.7–3.6 V）
  • 灵活I/O电压（1.65 V至VCC）
  • ×8/×16数据总线
  • 512字节编程缓冲区
  • 硬件ECC单比特纠错
  • 均匀128KB扇区
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 每扇区10万次擦写
  • 典型20年数据保持
  • 上电/低VCC写入禁止
  • 状态寄存器/数据轮询/就绪忙引脚

产品优势

  • 高密度适合嵌入式应用
  • 灵活I/O兼容多主机系统
  • 512字节缓冲区加速编程
  • 内置ECC保障数据可靠
  • 均匀扇区简化管理
  • ASP增强数据安全
  • 10万次擦写寿命长
  • 数据可保存20年
  • 防止上电误写
  • 状态监控方便诊断

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区