S29GL128P10FFI010

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S29GL128P10FFI010

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初始访问时间

100 ns
密度

128 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度

-40 °C to 85 °C
工作电压

3 V
引线球表面

Sn/Ag/Cu
接口

Parallel
接口频率(SDR/DDR) (MHz)

NA
系列

GL-P
认证标准

Industrial
页面访问时间

25 ns


OPN	S29GL128P10FFI010
产品状态	discontinued
英飞凌封装名称	PG-LFBGA-64
封装名	FBGA-64 (002-15536)
包装尺寸	900
包装类型	TRAY
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅	No
无卤素	Yes
符合RoHS标准	Yes
Infineon stock last updated:

	视图替换

产品状态	discontinued
英飞凌封装名称	PG-LFBGA-64
封装名	FBGA-64 (002-15536)
包装尺寸	900
包装类型	TRAY
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

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S29GL128P10FFI010是一款128 Mbit、3 V页模式闪存，采用90 nm MirrorBit技术，具备128 Kbyte均匀扇区和VersatileIO（I/O电压1.65 V至VCC）。支持单字或32字缓冲区编程，随机访问100 ns，页访问25 ns。具备高级扇区保护、20年数据保持和每扇区10万次擦写，适用于-40°C至+85°C的嵌入式和工业代码存储。

特性

90 nm MirrorBit工艺技术
单3 V读/编程/擦除操作
VersatileIO控制(1.65 V至VCC I/O)
32字/64字节写缓冲区
8字/16字节页读缓冲区
统一64 K字/128 K字节扇区
128字/256字节安全硅区
高级扇区保护方法
编程/擦除挂起与恢复
硬件数据保护(WP#/ACC, VCC)
写脉冲毛刺保护
每扇区10万次擦除(典型)

产品优势

高密度满足嵌入式存储需求
低电压降低功耗
灵活I/O便于系统集成
写缓冲区加快编程
页读缓冲区提升访问速度
简化内存管理
安全区用于永久ID
防止数据意外更改
挂起/恢复提升系统效率
硬件保护防止数据丢失
毛刺保护确保数据完整
高耐久性延长寿命

应用

设计资源

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