S29GL256P11FFIV12

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S29GL256P11FFIV12
S29GL256P11FFIV12
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商品详情

  • 初始访问时间
    110 ns
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 系列
    GL-P
  • 认证标准
    Industrial
  • 页面访问时间
    25 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
S29GL256P11FFIV12是一款256 Mbit页模式闪存，采用90 nm MirrorBit®技术，提供128 Kbyte均匀分区，适用于高密度和高性能嵌入式应用。单3 V电源（2.7–3.6 V）运行，支持VersatileIO，I/O电压范围1.65 V至VCC。具备32字写入缓冲区，实现快速编程，每个分区支持10万次擦除，拥有高级分区保护和安全硅分区。

特性

  • 90 nm MirrorBit工艺技术
  • 单3 V读/编程/擦除操作
  • VersatileIO控制(1.65 V至VCC I/O)
  • 32字/64字节写缓冲区
  • 8字/16字节页读缓冲区
  • 统一64 K字/128 K字节扇区
  • 128字/256字节安全硅区
  • 高级扇区保护方法
  • 编程/擦除挂起与恢复
  • 硬件数据保护(WP#/ACC, VCC)
  • 写脉冲毛刺保护
  • 每扇区10万次擦除(典型)

产品优势

  • 高密度满足嵌入式存储需求
  • 低电压降低功耗
  • 灵活I/O便于系统集成
  • 写缓冲区加快编程
  • 页读缓冲区提升访问速度
  • 简化内存管理
  • 安全区用于永久ID
  • 防止数据意外更改
  • 挂起/恢复提升系统效率
  • 硬件保护防止数据丢失
  • 毛刺保护确保数据完整
  • 高耐久性延长寿命

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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