现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S70FL01GSDSMFV010

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S70FL01GSDSMFV010
S70FL01GSDSMFV010
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S70FL01GSDSMFV010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70FL01GSDSMFV010是一款1 Gbit（128 Mbyte）FL-S系列闪存，采用双芯片堆叠，支持最高133 MHz（SDR）和80 MHz（DDR）的SPI多I/O接口，3.0 V核心供电，256 kB均匀扇区，10万次擦写寿命，20年数据保存。具备OTP和扇区保护等安全特性，通过AEC-Q100 Grade 1车规认证，-40°C至+125°C工作，16引脚SOIC无铅封装，适用于汽车和工业领域。

特性

  • 3.0 V CMOS核心技术
  • SPI多I/O接口支持DDR
  • 32位扩展寻址
  • 兼容S25FL-A/K/P SPI系列
  • 多种读取命令：普通、快速、双、四、DDR
  • AutoBoot上电/复位自动读取
  • 512字节页编程缓冲区
  • 最少10万次擦写寿命
  • 最少20年数据保存
  • 2048字节OTP一次性可编程区
  • 高级扇区块保护
  • 核心电压2.7-3.6 V，I/O 1.65-3.6 V

产品优势

  • 3.0 V核心实现低功耗
  • 多I/O SPI提升传输灵活性
  • 32位寻址支持大容量
  • 兼容封装便于迁移
  • 多读取模式优化速度带宽
  • AutoBoot实现即刻启动
  • 大缓冲区加快编程
  • 高耐久性延长寿命
  • 20年数据安全存储
  • OTP区增强安全
  • 灵活保护提升数据安全
  • 宽电压范围便于集成

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }