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符合RoHS标准
无铅

S70FL01GSDSMFV013

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封装
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S70FL01GSDSMFV013
S70FL01GSDSMFV013
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S70FL01GSDSMFV013
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70FL01GSDSMFV013是一款1 Gbit汽车级堆叠SPI闪存，集成双S25FL512S芯片，提升容量。核心电压为3.0 V，支持最高80 MHz的Quad和DDR SPI模式，提供统一256 kbyte扇区和512字节编程缓冲区。耐久性至少10万次擦写。通过AEC-Q100 Grade 1认证，工作温度-40°C至+125°C。双芯片需分别管理编程，适用于高要求应用。

特性

  • 3.0 V CMOS核心技术
  • SPI多I/O接口支持DDR
  • 32位扩展寻址
  • 兼容S25FL-A/K/P SPI系列
  • 多种读取命令：普通、快速、双、四、DDR
  • AutoBoot上电/复位自动读取
  • 512字节页编程缓冲区
  • 最少10万次擦写寿命
  • 最少20年数据保存
  • 2048字节OTP一次性可编程区
  • 高级扇区块保护
  • 灵活的 I/O 电压范围: 1.65 V to VCCV

产品优势

  • 3.0 V核心实现低功耗
  • 多I/O SPI提升传输灵活性
  • 32位寻址支持大容量
  • 兼容封装便于迁移
  • 多读取模式优化速度带宽
  • AutoBoot实现即刻启动
  • 大缓冲区加快编程
  • 高耐久性延长寿命
  • 20年数据安全存储
  • OTP区增强安全
  • 灵活保护提升数据安全
  • 宽电压范围便于集成

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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