现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S70FS01GSAGBHM210

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S70FS01GSAGBHM210
S70FS01GSAGBHM210
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S70FS01GSAGBHM210
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15078)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15078)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70FS01GSAGBHM210是一款1 Gb（128 MB）SPI NOR闪存，采用双芯片堆叠架构，由两个FS512S芯片组成，实现连续寻址空间。支持SPI多I/O接口，具备单、双、四数据线及DDR读模式，工作电压1.7 V至2.0 V。最高读取速率80 MBps、133 MHz时钟，适合高速代码执行与数据存储。具备先进扇区保护、硬件ECC，并通过AEC-Q100 Grade 1认证，适用于高可靠性汽车和工业应用。

特性

  • 支持多I/O SPI接口
  • 支持时钟极性和相位模式0、3
  • 支持DDR和SDR命令协议
  • 24/32位寻址选项
  • 兼容S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S
  • 正常、快速、双、四、DDR四I/O读
  • 支持突发和QPI模式
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合/均匀扇区擦除选项
  • 每扇区10万次擦写寿命
  • 数据保存20年
  • 单电源1.7V至2.0 V

产品优势

  • 多I/O提升数据吞吐
  • DDR/SDR灵活速率选择
  • 24/32位寻址适用大容量
  • 兼容性简化产品迁移
  • 多种读模式优化性能
  • QPI模式加速数据传输
  • ECC保障数据可靠
  • 混合/均匀擦除适应多场景
  • 高耐久适合频繁更新
  • 长期保存关键数据
  • 低电压降低功耗
  • 宽温支持恶劣环境

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }