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符合RoHS标准
无铅

S70FS01GSDSBHI213

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封装
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S70FS01GSDSBHI213
S70FS01GSDSBHI213
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S70FS01GSDSBHI213
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15078)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15078)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70FS01GSDSBHI213是一款1 Gb（128 MB）双芯片SPI NOR闪存，1.8 V供电，采用65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，实现快速编程和擦除。支持单/双/四/DDR SPI模式，最大读取速率80 MBps，页编程512字节。具备混合与均匀扇区、先进扇区保护和OTP，工作温度-40°C至+125°C（AEC-Q100 Grade 1），适用于汽车、工业和嵌入式高密度高可靠性应用。

特性

  • 支持SPI多I/O接口
  • DDR与QPI模式
  • 扩展24/32位寻址
  • 兼容S25FL系列命令集
  • 快速读取高达80 MBps
  • 页编程缓冲区256/512字节
  • 支持编程/擦除挂起与恢复
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区选项
  • 每扇区10万次擦写
  • 2千万年数据保存（1万次循环）
  • 深度掉电模式（0.006 mA）

产品优势

  • 灵活接口便于系统集成
  • 高速数据访问提升效率
  • 大容量寻址支持应用
  • 轻松迁移S25FL产品
  • 页编程提升写入速度
  • 挂起/恢复保障实时操作
  • ECC提升数据可靠性
  • 扇区灵活适配设计
  • 高耐久适合频繁更新
  • 长期数据保存
  • 超低待机功耗
  • OTP与高级保护增强安全

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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