现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S70FS01GSDSMFI010

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S70FS01GSDSMFI010
S70FS01GSDSMFI010
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S70FS01GSDSMFI010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70FS01GSDSMFI010是一款1 Gb（128 MB）双芯片堆叠SPI NOR闪存，将两个FS512S芯片集成于单封装。工作电压1.7 V至2.0 V，支持SPI多I/O接口，含单/双/四数据线，SDR最高133 MHz，DDR最高80 MHz。具备512字节页编程、硬件ECC、先进扇区保护，并通过AEC-Q100 Grade 1车规认证（–40°C至+125°C）。适用于汽车和嵌入式系统中的代码影子及数据存储。

特性

  • 支持SPI多I/O接口
  • DDR与QPI模式
  • 扩展24/32位寻址
  • 兼容S25FL系列命令集
  • 快速读取高达80 MBps
  • 页编程缓冲区256/512字节
  • 支持编程/擦除挂起与恢复
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区选项
  • 每扇区10万次擦写
  • 2千万年数据保存（1万次循环）
  • 深度掉电模式（0.006 mA）

产品优势

  • 灵活接口便于系统集成
  • 高速数据访问提升效率
  • 大容量寻址支持应用
  • 轻松迁移S25FL产品
  • 页编程提升写入速度
  • 挂起/恢复保障实时操作
  • ECC提升数据可靠性
  • 扇区灵活适配设计
  • 高耐久适合频繁更新
  • 长期数据保存
  • 超低待机功耗
  • OTP与高级保护增强安全

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }