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符合RoHS标准
无铅

S70GL02GS11FHI010

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每件.
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S70GL02GS11FHI010
S70GL02GS11FHI010
每件.
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    110 ns
  • 密度
    2 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-S
  • 认证标准
    Industrial
  • 页面访问时间
    20 ns
推荐的
OPN
S70GL02GS11FHI010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 1800
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 1800
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S70GL02GS11FHI010是一款2 Gbit（256 MB）并行NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术，64球BGA封装。工作电压2.7 V至3.6 V，支持1.65 V至VCC的Versatile I/O，随机访问时间110 ns，页访问时间25 ns。器件拥有2048个128 KB扇区、512字节编程缓冲区和高级扇区保护，每扇区擦写寿命达10万次，适用于高可靠性嵌入式和汽车应用。

特性

  • 65 nm MIRRORBIT™工艺技术
  • 并行3.0 V操作
  • 灵活I/O电压：1.65 V至VCC
  • 16位数据总线
  • 16字/32字节页读缓冲
  • 512字节编程缓冲
  • 统一128 KB扇区
  • 支持编程/擦除挂起恢复
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 1024字节OTP阵列可锁定
  • WP#输入保护扇区
  • 25 ns页访问，110 ns随机访问

产品优势

  • 大容量支持海量存储
  • 快速访问提升系统性能
  • 灵活I/O简化集成
  • 大缓冲加速读写
  • 统一扇区便于管理
  • 挂起恢复提升多任务
  • 强大保护保障数据安全
  • OTP阵列支持安全存储
  • WP#防止误写
  • 低待机电流省电
  • 高耐久减少维护
  • 长期保持数据可靠

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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