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符合RoHS标准

S70KL1283DPBHB020

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S70KL1283DPBHB020
S70KL1283DPBHB020

商品详情

  • 初始访问时间
    36 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    xSPI (Octal)
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KL-3
  • 认证标准
    Automotive
OPN
S70KL1283DPBHB020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70KL1283DPBHB020为128 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM(PSRAM),用于外部存储扩展,采用Octal xSPI接口,含8位DQ[7:0]、RWDS选通、CS#与RESET#。支持DDR传输,时钟最高166 MHz,带宽最高400 MBps,tACC 35 ns。电源2.7 V至3.6 V,-40°C至+105°C(AEC-Q100 Grade 2),24球FBGA(1.00 mm间距)。

特性

  • 八线xSPI接口
  • VCC/VCCQ 1.7-2.0 V
  • VCC/VCCQ 2.7-3.6 V
  • 最高200 MHz时钟
  • DDR双沿传输
  • 吞吐量高达400 MBps
  • 8位数据总线DQ[7:0]
  • RWDS选通+写掩码
  • 可选差分时钟CK/CK#
  • 可选DCARS读选通
  • 线性与回绕突发
  • Hybrid Sleep与Deep Power Down

产品优势

  • 八线DDR提升系统带宽
  • 400 MBps支持高速帧缓存
  • 200 MHz适配高速控制器
  • 8位总线简化布线
  • RWDS降低DDR时序难度
  • DCARS提升读取眼图裕量
  • 回绕突发降低访问延迟
  • 突发模式适配缓存或流
  • 休眠/DPD降低待机功耗
  • 部分刷新降低空闲功耗
  • 双电压适配1.8/3.0 V电源
  • RESET#加速故障恢复

应用

文档

设计资源

开发者社区

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