现货，推荐
符合RoHS标准

S70KS1282GABHB030

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S70KS1282GABHB030
S70KS1282GABHB030
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-2
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S70KS1282GABHB030
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70KS1282GABHB030是一款128 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM（PSRAM），采用DDR HYPERBUS™接口。支持200 MHz时钟，吞吐量最高400 MBps，最大访问时间35 ns。器件仅支持1.8 V，8位DQ总线并带CS#、RESET#与RWDS选通/掩码，支持可配置突发特性。提供24球、1.00 mm间距FBGA封装，并支持DCARS选项以提升读时序裕量。

特性

  • HYPERBUS接口
  • VCC 1.7 V至2.0 V选项
  • VCC 2.7 V至3.60 V选项
  • 8位DDR数据总线DQ[7:0]
  • 最高200 MHz时钟
  • 吞吐量高达400 MBps
  • tACC最大35 ns
  • 环绕突发16/32/64/128 B
  • RWDS选通与写数据屏蔽
  • DCARS移位RWDS相位
  • 混合睡眠保留数据
  • 深度掉电停止刷新

产品优势

  • 少引脚实现高带宽
  • 适配1.8 V或3.0 V逻辑
  • DDR减少系统引脚数
  • 200 MHz匹配高速处理器
  • 400 MBps支撑高速缓存
  • tACC 35 ns降低读延迟
  • 突发长度匹配缓存行
  • RWDS简化DDR时序收敛
  • DCARS提升读数据眼图裕量
  • 混合睡眠省电且保留数据
  • 深度掉电时泄漏更低
  • 停钟时降低停滞电流

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }