现货，推荐
符合RoHS标准

S70KS1283GABHI023

数据手册
封装

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S70KS1283GABHI023
S70KS1283GABHI023
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    xSPI (Octal)
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-3
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S70KS1283GABHI023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70KS1283GABHI023是一款128 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM（PSRAM），用于通过Octal xSPI DDR接口扩展高带宽存储（8位DQ、RWDS、CS#、RESET#）。最大时钟200 MHz，吞吐量最高400 MBps，最大访问时间35 ns。S70KS为1.8 V专用器件，工作电压1.7 V至2.0 V，支持Hybrid Sleep和Deep Power Down模式，采用24球FBGA封装。

特性

  • 八线xSPI接口
  • VCC/VCCQ 1.7-2.0 V
  • VCC/VCCQ 2.7-3.6 V
  • 最高200 MHz时钟
  • DDR双沿传输
  • 吞吐量高达400 MBps
  • 8位数据总线DQ[7:0]
  • RWDS选通+写掩码
  • 可选差分时钟CK/CK#
  • 可选DCARS读选通
  • 线性与回绕突发
  • Hybrid Sleep与Deep Power Down

产品优势

  • 八线DDR提升系统带宽
  • 400 MBps支持高速帧缓存
  • 200 MHz适配高速控制器
  • 8位总线简化布线
  • RWDS降低DDR时序难度
  • DCARS提升读取眼图裕量
  • 回绕突发降低访问延迟
  • 突发模式适配缓存或流
  • 休眠/DPD降低待机功耗
  • 部分刷新降低空闲功耗
  • 双电压适配1.8/3.0 V电源
  • RESET#加速故障恢复

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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