现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S79FL512SDSMFVG00

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S79FL512SDSMFVG00
S79FL512SDSMFVG00
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    160 MByte/s
  • 接口
    Dual-Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S79FL512SDSMFVG00
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S79FL512SDSMFVG00是一款512 Mb（64 MB）双四路SPI NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，提升编程与擦除速度。支持160 MBps DDR四路读取、3 MBps编程和1 MBps擦除，配备1024字节缓冲区。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围-40°C至+105°C，具备高级安全性、混合或均匀扇区选项，并通过AEC-Q100认证，适用于汽车和工业领域。

特性

  • 支持Dual-Quad SPI接口
  • 104 MHz四路读，80 MHz四路DDR读
  • 24/32位寻址选项
  • 3 MBps编程速度
  • 硬件ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除模式
  • 每扇区10万次擦写寿命
  • 20年数据保持
  • 2048字节OTP安全区
  • 灵活的块/扇区保护
  • 硬件复位输入(RESET#)
  • 内核电压2.7 V至3.6 V

产品优势

  • 高速读提升数据访问效率
  • 灵活寻址适配大容量设计
  • 快速编程提升产能
  • ECC提升数据可靠性
  • 擦除模式适应多场景需求
  • 高耐久保障设备寿命
  • 长期数据安全存储
  • OTP区提升系统安全
  • 扇区保护防止数据丢失
  • 硬件复位确保安全恢复
  • 宽电压简化系统设计
  • Dual-Quad SPI提升接口速度

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }