S80KS2562GABHV023

数据手册

封装

S80KS2562GABHV023

数据手册

商品详情

初始访问时间

35 ns
密度

256 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度范围

-40 °C 至 105 °C
工作电压范围

1.7 V 至 2 V
工作电压

1.8 V
引线球表面

Sn/Ag/Cu
技术

HYPERRAM
接口带宽

400 MByte/s
接口

HYPERBUS
接口频率(SDR/DDR) (MHz)

- / 200
目前计划的可用性至少到

See roadmap
系列

KS-2
认证标准

Industrial

	推荐的
OPN	S80KS2562GABHV023
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-BGA-24
封装名	FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸	2500
包装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅	Yes
无卤素	Yes
符合RoHS标准	Yes
Infineon stock last updated:

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-BGA-24
封装名	FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸	2500
包装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

S80KS2562GABHV023是一款256 Mb HYPERRAM自刷新DRAM，采用1.8 V HYPERBUS DDR接口，用于高带宽、少引脚存储扩展。支持最高200 MHz时钟与400 MBps吞吐量，最大访问时间35 ns。可配置线性、包裹（16/32/64/128 B）或混合突发，深度掉电电流低至15 b5A，可在嵌入式系统中优化性能与待机功耗。

特性

HYPERBUSa0接口, CS#, RESET#
8a0位DQ[7:0]a0数据总线
RWDSa0选通+a0写数据屏蔽
DDRa0双沿传输
200a0MHz,a0tACCa035a0ns
吞吐达400a0MBps
突发: 线性/环绕16-128 B
可配置输出驱动强度
自刷新+a0部分阵列刷新
待机时忽略除CS#/RST外IO
混合睡眠保留数据,a0a03a0b5s
深度掉电停止刷新

产品优势

便于MCU/FPGAa0扩展RAM
8a0位总线降低布线复杂度
RWDS简化时序与写屏蔽
DDR提升每引脚带宽
200a0MHz/35a0ns降低延迟
400a0MBps支持高速图形
突发模式提升总线效率
驱动可调改善信号完整性
部分刷新降低待机功耗
待机减少空闲总线翻转
混合睡眠省电且保留数据
DPD将电流降至b5A级

应用

设计资源

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }

S80KS2562GABHV023

Content could not be loaded

商品详情

特性

产品优势

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

S80KS2562GABHV023

Content could not be loaded

商品详情

S80KS2562GABHV023 Recommended

特性

产品优势

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区