现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S80KS2563GABHM023

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S80KS2563GABHM023
S80KS2563GABHM023
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    xSPI (Octal)
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-3
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S80KS2563GABHM023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S80KS2563GABHM023是一款256 Mb HYPERRAM自刷新DRAM，采用1.8 V Octal xSPI接口（8位DQ、RWDS、CS#、RESET#），用于高带宽内存扩展。支持DDR，最高200 MHz，吞吐量达400 MBps（3,200 Mbps），最大访问时间35 ns，并支持线性或最长128字节的包裹突发。AEC-Q100 Grade 1版本工作电压1.7 V至2.0 V，温度-40°C至+125°C，封装为24球5 x 5 FBGA。

特性

  • 八线xSPI接口, DDR
  • 最高200 MHz时钟
  • 吞吐达400 MBps
  • 8位数据总线DQ[7:0]
  • RWDS作选通/写掩码
  • 可选差分时钟CK/CK#
  • 硬件复位引脚RESET#
  • 线性/包裹突发16-128 B
  • 混合突发:包裹后线性
  • 混合睡眠保留数据
  • 深度掉电停止刷新
  • VCC供电1.7 V到2.0 V

产品优势

  • DDR八线比16位更省引脚
  • 400 MBps提升带宽
  • 200 MHz匹配高速xSPI主机
  • RWDS改善DDR时序裕量
  • 差分时钟提升信号完整性
  • RESET#增强故障恢复
  • 突发选择提升总线效率
  • 混合突发适配缓存行读取
  • 混合睡眠低功耗且保数据
  • 深度掉电降低待机电流
  • 低VCC降低系统功耗
  • ESD指标提升抗静电裕量

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }