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符合RoHS标准
无铅

S80KS2563GABHV020

数据手册
封装
每件.
有存货

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S80KS2563GABHV020
S80KS2563GABHV020
每件.
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商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    xSPI (Octal)
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-3
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S80KS2563GABHV020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S80KS2563GABHV020是一款256 Mb HYPERRAM自刷新DRAM，采用Octal xSPI接口（8位DQ加RWDS），支持DDR传输，最高200 MHz与400 MB/s。供电1.7 V至2.0 V，面向-40°C至+105°C工业增强级应用。支持线性或环绕突发（16至128字节）、部分阵列刷新、接口待机和15 µA深度掉电，以兼顾带宽与功耗。

特性

  • 八线xSPI接口, DDR
  • 最高200 MHz时钟
  • 吞吐达400 MBps
  • 8位数据总线DQ[7:0]
  • RWDS作选通/写掩码
  • 可选差分时钟CK/CK#
  • 硬件复位引脚RESET#
  • 线性/包裹突发16-128 B
  • 混合突发:包裹后线性
  • 混合睡眠保留数据
  • 深度掉电停止刷新
  • VCC供电1.7 V到2.0 V

产品优势

  • DDR八线比16位更省引脚
  • 400 MBps提升带宽
  • 200 MHz匹配高速xSPI主机
  • RWDS改善DDR时序裕量
  • 差分时钟提升信号完整性
  • RESET#增强故障恢复
  • 突发选择提升总线效率
  • 混合突发适配缓存行读取
  • 混合睡眠低功耗且保数据
  • 深度掉电降低待机电流
  • 低VCC降低系统功耗
  • ESD指标提升抗静电裕量

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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