SI4410DY

采用 SO-8 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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SI4410DY
SI4410DY

商品详情

  • Ciss
    1585 pF
  • Coss
    739 pF
  • ID (@25°C) max
    10 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    6.5 nC
  • QG (typ @10V)
    30 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    13.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    20 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th) min
    1 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 低开关损耗
  • 低传导损耗

应用

文档

设计资源

开发者社区

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