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SI4435DY
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

SI4435DY

停产
采用 SO-8 封装的 -30V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
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封装
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SI4435DY
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -8 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    8 nC
  • QG (typ @10V)
    40 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    20 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    35 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -30 V
  • 最低 VGS(th)
    -1 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
SI4435DYTRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
IL
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
IL
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产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • P沟道MOSFET

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区