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SIDC105D120H8
商品详情
-
I(FSM) max400 A
-
IF max200 A
-
IR max2.6 µA
-
VDS max1200 V
-
VF1.29 V
-
技术Emitter Controlled Diode High Efficiency
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|
OPN
|
SIDC105D120H8X1SA1 | |
| 产品状态 | active | |
| 英飞凌封装名称 | -- | |
| 封装名 | N/A | |
| 包装尺寸 | 1 | |
| 包装类型 | WAFER SAWN | |
| 湿度 | N/A | |
| 防潮包装 | DRY | |
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| 无卤素 | Yes | |
| 符合RoHS标准 | Yes | |
|
Infineon stock last updated:
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| 产品状态 |
Active
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|---|---|
| 英飞凌封装名称 | -- |
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| 包装尺寸 | 1 |
| 包装类型 | WAFER SAWN |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
适用于电源模块和分立器件的高效快速开关发射极控制二极管。
特性
- 1200 V 技术 120 µm 芯片
- 软、快速开关
- 低反向恢复电荷
- 小温度系数
- 符合 JEDEC 标准