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符合RoHS标准
无铅

SIGC101T170R3E

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SIGC101T170R3E
SIGC101T170R3E

商品详情

  • IC max
    75 A
  • VCE(sat) max
    2.4 V
  • VCE max
    1700 V
  • VDS max
    1700 V
  • VGE(th)
    5.2 V to 6.4 V
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Technology
    IGBT3
OPN
SIGC101T170R3EX1SA2 SIGC101T170R3EX1SA5
产品状态 active active
英飞凌封装名称 -- --
封装名 N/A N/A
包装尺寸 1 1
包装类型 WAFER SAWN WAFER SAWN
湿度 N/A N/A
防潮包装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆

特性

  • 低关断损耗
  • 短尾电流
  • 正温度系数
  • 易于并联

应用

文档

设计资源

开发者社区

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