SPD04P10PL G
现货，推荐
符合RoHS标准

SPD04P10PL G

采用 DPAK 封装的 P 沟道功率 MOSFET -100 V
数据手册
封装

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SPD04P10PL G
SPD04P10PL G
数据手册

商品详情

  • Ciss
    280 pF
  • Coss
    70 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    -4.2 A
  • 最高 IDpuls
    -16.8 A
  • 最高 Ptot
    38 W
  • QG (typ @10V)
    12 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    850 mΩ
  • Rth
    3.9 K/W
  • 最高 VDS
    -100 V
  • VGS(th)
    -1.5 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    P
  • 模式
    Enhancement
  • 预算价格€/1k
    0.27
推荐的
OPN
SPD04P10PLGATMA1 SPD04P10PLGBTMA1
产品状态 active and preferred discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
PG-TO252-3
封装名 DPAK DPAK
封装尺寸 2500 2500
封装类型 TAPE & REEL TAPE & REEL
湿度 1 1
防潮封装 NON DRY NON DRY
无铅 No No
无卤素 Yes No
符合RoHS标准 Yes Yes
视图替换

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 雪崩额定
  • 无铅镀铅；符合 RoHS 标准
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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