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SPP20N65C3
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符合RoHS标准
无铅

SPP20N65C3

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SPP20N65C3
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    20.7 A
  • 最高 ID
    20.7 A
  • 最高 IDpuls
    62.1 A
  • 最高 Ptot
    208 W
  • QG
    87 nC
  • QG (typ @10V)
    87 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    200 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    200 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.6 K/W
  • Rth
    0.6 K/W
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.9 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 极性
    N
  • 模式
    Enhancement

OPN
SPP20N65C3XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
MY
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650V CoolMOS ™ C3 是英飞凌的第三系列 CoolMOS ™ ，于 2001 年进入市场。650V CoolMOS ™ C3 的替代品是 CoolMOS ™ P7。

特性

  • 低导通电阻 (RDS(on)*A)
  • 输出电容中极低的能量存储 (Eoss) @400V
  • 低栅极电荷 (Qg)
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • CoolMOS ™技术自 1998 年起由英飞凌生产

产品优势

  • 高效率和功率密度
  • 出色的性价比
  • 高可靠性
  • 易于使用

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区