Gate Driver Selection Guide
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门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于降低设计复杂度,缩短开发时间,节省用料(BOM)及电路板空间,相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案,可提高方案的可靠度。

每一个功率器件都需要一个门极驱动芯片,同时每一个门极驱动芯片都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌——IGBT单管和模块,硅MOSFET (CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™) 和碳化硅MOSFET (CoolSiC™) 、氮化镓HEMT (CoolGaN™) ,或者作为集成功率模块的一部分 (CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。

最新的英飞凌门极驱动选型指南,到底不同在哪里呢?

从单纯的产品思维到全面的系统知识,英飞凌打造出让电力发送、传输和转换都更高效、更可靠的系统解决方案。下列应用,英飞凌均提供匹配的驱动和功率器件选型方案。

  •     电机驱动
  •     纯电动汽车和混合动力汽车
  •     电动车充电桩         
  •     照明
  •     轻型电动车(LEV)   
  •     大型家电(MHA)
  •     可再生能源          
  •     小型家电和电池驱动的应用
  •     开关电源(SMPS)   
  •     不间断电源(UPS)

以电机驱动为例,英飞凌提供适用于不同功率段的变频器,开关电源,PFC,和制动斩波器的半导体方案,提供门极驱动芯片和匹配的功率器件。从200V的半桥驱动器+低压MOSFET,用于小功率的步进电机;到1200V的隔离型驱动器+IGBT模块,用于重负荷电机。从用于PFC的低边驱动器,到用于开关电源LLC拓扑的600V半桥驱动器。英飞凌为您提供一站式解决方案。

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英飞凌是功率半导体解决方案全球领先的供应商之一,可让您的生活更轻松、更安全、更环保。我们为电能的高效制造、传输及使用助力。简言之,我们是在助力建设一个拥有无限能源的世界。《英飞凌EiceDRIVER™门极驱动芯片选型指南2019》通过提供创新、合适的门极驱动解决方案,充分助力我们先进的功率器件技术,使我们更加接近这个目标。

英飞凌开设门极驱动在线技术论坛(www.infineon.com/gdforum),您可以直接与英飞凌门极驱动专家探讨技术问题。论坛并没有语言限制,可以发布中文问题,技术人员会用中文为您答疑解惑。

Infineon Opens Gate Driver Online Technology Forum
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